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根据本公开的示例实施例的半导体装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列区域，存储器单元中的每一个包括单元晶体管和信息存储结构；以及外围电路区域，其在水平方向上与存储器单元阵列区域间隔开。外围电路区域包括在第一水平上的上互连件、在垂直于水平方...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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