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一种集成电路器件包括鳍形有源区。成对的下沟道区设置在有源区上。成对的上沟道区设置在下沟道区的上部上。下源极/漏极区形成在有源区上，并且接触成对的下沟道区。上源极/漏极区形成在下源极/漏极区上，并且接触成对的上沟道区。上源极/漏极区包括接触成...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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