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一种制造半导体器件的方法，包括：形成有源结构；在有源结构上形成初步栅极介电层；在初步栅极介电层上形成包括第一偶极子材料的第一偶极子层和包括第二偶极子材料的第二偶极子层；去除有源结构的除第一区域之外的区域中的第一偶极子层和第二偶极子层；去除有...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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