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公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一沟道区域；第一电介质结构，所述第一电介质结构位于所述第一沟道区域上；第一金属图案，所述第一金属图案与所述第一电介质结构间隔开；以及第一偶极结构，所述第一偶极结构位于所述第一金属图案与所述第一电介...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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