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提出了一种三维半导体存储器件及包括该三维半导体存储器件的电子系统。三维半导体存储器件可以包括：晶体管阵列，在衬底上包括多个晶体管；第一保护接触插塞，延伸到晶体管之间的区域中；第二保护接触插塞，设置成包围晶体管阵列；以及杂质区，在第一保护接触...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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