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本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备，多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图形...
该专利属于北京中科彼岸集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中科彼岸集成电路科技有限公司授权不得商用。

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