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披露了一种处理衬底的方法，该方法包括：使碳氟化合物、金属卤化物和分子氢(H2)流动到等离子体处理腔室中，该等离子体处理腔室被配置成固持衬底，该衬底包括作为刻蚀目标的包含氧化硅的介电层和在该介电层上的包含多晶硅(poly‑Si)的图案化硬掩模...
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