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本发明提供一种沟槽栅器件及其制备方法，该沟槽栅器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层、沟槽结构及层间介质层的半导体结构，半导体层包括层叠的衬底和漂移区、体区及源区，沟槽结构贯穿源区及体区，层间介质层覆盖半导体层及沟槽结构上表面；形成...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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