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本申请涉及一种沟槽MOS器件，包括衬底和外延层，外延层上设置有多个多晶硅栅极且多个多晶硅栅极嵌入外延层设置，多晶硅栅极的底部和侧面设置有栅氧化层，外延层上垂直注入P型轻掺杂离子形成有P型体区，外延层上垂直注入N型重掺杂离子形成有高浓度N型掺...
该专利属于万芯半导体（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万芯半导体（宁波）有限公司授权不得商用。

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