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本发明公开了一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，属于半导体器件抗辐射加固领域，解决了现有技术存在的直接测试电路失效阈值耗时长、成本高，材料屏蔽测试过度侧重本源属性而忽视实际空间环境等效性，无法准确获取沉积剂量...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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