【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件抗辐射加固领域，特别是涉及一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法。
技术介绍
1、空间环境中充斥着多种高能射线，例如高能电子、高能质子以及重离子等，会在集成电路中产生各种辐射效应，例如总剂量效应、单粒子效应、位移损伤效应等，严重影响集成电路的工作稳定性甚至发生损坏，缩短其服役寿命，对航天器在空间应用的可靠性和安全性提出严峻挑战。因此，在集成电路应用于航天领域前应进行专门的抗辐射加固处理。典型的抗辐射加固处理方式包括设计加固、工艺加固和封装加固。其中，封装加固通过材料屏蔽进而减少照射到集成电路敏感区域的辐射能量，具有成本低廉、开发周期短、普适性强等优点，可快速提升集成电路的抗总剂量辐射能力。精确评估封装加固集成电路抗总剂量辐射能力对于确保其在空间辐射环境中的可靠性、安全性、延长服役寿命等方面至关重要。目前针对封装加固集成电路抗总剂量辐射能力的测试方法主要为：将封装加固集成电路直接置于总剂量辐照下，通过电学参数失效阈值评价电路抗总剂量辐射数值，该方法耗时长，成本高昂。
2、对于...
【技术保护点】
1.一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，所述封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在S1中，所述未加固集成电路包括Flash、MOSFET。
3.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在S1中，所述总剂量辐照为伽马射线或高能电子辐照。
4.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率...
【技术特征摘要】
1.一种基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，所述封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在s1中，所述未加固集成电路包括flash、mosfet。
3.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在s1中，所述总剂量辐照为伽马射线或高能电子辐照。
4.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在s2中，所选电学参数为静态漏电流iihph，采用相对值变化进行比较不同封装加固集成电路在辐照后的电学参数变化程度，对每只集成电路辐照前后的iihph变化率进行归一化处理，定义变化系数kiihph，绘制kiihph与累积剂量的散点图；
5.根据权利要求1所述的基于电参数变化的封装加固集成电路单能电子总剂量屏蔽率的测试方法，其特征在于，在s2中，拟合方法采用威布尔分布拟合。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑宏超，崔凯，李杨，洪杨，吴晓宏，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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