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本发明涉及一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤：S1.使用化学气相沉积法在铜薄膜表面沉积石墨烯，制得石墨烯/铜材料；S2.在步骤S1所述石墨烯/铜材料上沉积金属薄膜；S3.对步骤S2所得材料进行热处理，使金属...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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