温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。本发明可提高单晶铜丝的电导率，保护铜丝免受外界环境的影响，以及节约...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。