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三维存储器元件制造技术
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文档序号:46429999
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本公开提供一种三维存储器元件,其包括堆叠结构以及至少一个通道结构。堆叠结构包括交替堆叠的多层导电层以及多层绝缘层。至少一个通道结构贯穿堆叠结构,其中至少一个通道结构包括顶部部分以及底部部分。被多层导电层中的一层环绕的底部部分的第一宽度与被多...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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