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本申请提供一种三维NAND型铁电存储器及其制备方法，三维NAND型铁电存储器包括：位于衬底一侧的堆叠结构；堆叠结构包括交替层叠的栅极绝缘层和栅极金属层；堆叠结构中具有通孔；在堆叠结构指向通孔中心的方向上，具有依次层叠的第一阻挡层、电荷俘获层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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