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本申请公开了一种栅极结构的制备方法，具体地，首先需制备去除假栅后的衬底结构，并在衬底表面形成具有原子级平整度的高质量界面层；随后采用原子层沉积工艺在界面层上精确淀积高K介质层及第一阻挡层；接着通过物理气相沉积技术在第一阻挡层表面形成厚度可控...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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