【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺,特别是涉及一种栅极结构的制备方法。
技术介绍
1、目前,相关技术中有关金属栅和高介电常数栅介质的制备工艺中,由于高k(high-k,high dielectric constant material,高介电常数)栅介质材料主要以金属氧化物为主,在制备过程中必然有氧的存在,使得高k介质与硅衬底之间不可避免地形成一层界面层,通常为硅的氧化物或氮氧化物,这使得金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor,简称mos晶体管)器件的等效氧化层厚度(equivalent oxidethickness,简称eot)难以满足超薄(即eot厚度<1nm)的指标要求。这将带来器件漏致势垒降低(drain-induced barrier lowering,简称dibl)、短沟道效应(short-channeleffects,简称sce)及阈值电压涨落等性能方面的退化。因此,降低界面层厚度成为cmos(complementary metal-oxide-semiconductor device,互补
...【技术保护点】
1.一种栅极结构的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一阻挡层上淀积吸氧金属层之后,还包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过快速热退火技术,对所述吸氧金属层进行热处理之后,还包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
9.根据
...【技术特征摘要】
1.一种栅极结构的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述第一阻挡层上淀积吸氧金属层之后,还包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过快速热退火技术,对所述吸氧金属层进行热处理之后,还包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:许静,张文俊,罗军,许滨滨,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。