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本发明公开一种集成LFER和HEMT的梳状p‑GaN栅半导体器件，涉及半导体技术，针对现有技术中导通电阻和高耐压矛盾的问题提出本方案。本发明中一种集成LFER和HEMT的梳状p‑GaN栅半导体器件，包括集成在衬底一侧的LFER和集成在衬底另...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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