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本公开提供一种掺钪氮化铝薄膜以及柔性声表面波谐振器的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域。掺钪氮化铝薄膜的制备方法，包括：在第一衬底上依次外延生长堆叠的二维材料层、缓冲层和掺钪氮化铝薄膜层，制备晶体层；去除第一衬底、二维材料层和缓冲层，得到...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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