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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一沟道图案，在第一有源鳍上；第二沟道图案，在第二有源鳍上；下分隔件，位于第一沟道图案与第二沟道图案之间，其中，下分隔件包括：在竖直方向上从第一沟道图案与第二沟道图案之间的空间延伸到第一有源鳍与第二...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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