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本发明提供能够改善六方晶氮化硼膜与基片的基底区域的密合性的氮化硼膜的成膜方法和成膜装置。本发明的氮化硼膜的成膜方法包括工序（a），在基片的基底区域上形成非晶氮化硼的第一膜。工序（a）包括工序（a1），向基片供给含有环硼氮烷化合物的第一处理气...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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