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高电压晶体管可以包括多个源极/漏极区、栅极结构和栅极氧化物层,使得栅极结构能够选择性地控制多个源极/漏极区之间的通道区。栅极氧化物层可以朝向多个源极/漏极区中的一个或多个横向向外延伸,使得栅极氧化物层的至少部分不在栅极结构下。从栅极结构下方...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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