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一种存储器设备包括：源极级材料层，该源极级材料层包含下部源极级半导体层、源极接触层和上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于该源极级材料层上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠并且进入该源极级材料层的上部部...
该专利属于桑迪士克科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技股份有限公司授权不得商用。

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