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本公开内容提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体基底、底层、铁电材料层及导电层。底层覆盖半导体基底。铁电材料层覆盖底层，其中底层具有朝向铁电材料层的表面，表面具有小于1 nm的均方根粗糙度。导电层覆盖铁电材料层。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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