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集成电路装置包括：鳍型有源区域，在基底上在第一水平方向上延伸；纳米片堆叠件，包括在鳍型有源区域上的多个纳米片；栅极线，在鳍型有源区域上在所述多个纳米片中的每个周围延伸，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；以及竖直结构，在第二水平方...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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