【技术实现步骤摘要】
专利技术构思总体上涉及一种集成电路装置，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的集成电路装置。
技术介绍
1、随着集成电路装置的小型化的快速发展，在集成电路装置中不仅需要确保高速操作，还需要确保操作准确性。此外，随着集成电路装置的集成度增加和其尺寸减小，在纳米片场效应晶体管的制造工艺期间发生工艺缺陷的可能性可能增加。相应地，有必要开发具有能够消除（或减少）工艺缺陷的可能性并改善纳米片场效应晶体管的性能和可靠性的新结构的集成电路装置。
技术实现思路
1、如通过专利技术构思的实施例所表明的，专利技术构思提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置能够在纳米片场效应晶体管中提供稳定的性能和改善的可靠性。
2、根据专利技术构思的一方面，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：鳍型有源区域，在基底上在第一水平方向上延伸；纳米片堆叠件，包括布置在鳍型有源区域上方的多个纳米片；栅极线，在鳍型有源区域上方围绕所述多个纳米片中的每个（即，在所述多个纳米片中的每个周围延伸），并且在与第一水平方向交叉...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，栅极线包括延伸到凹入部中的突出部。
3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，突出部在与基底的上表面垂直的竖直方向上与竖直结构至少部分地叠置。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，凹入部包括在第二水平方向上与所述多个纳米片中的至少部分叠置的部分。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，栅极线包括：
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，竖直结构还包括：空气空间，在竖直结构中。
7.根据权利要求6所述的集...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，栅极线包括延伸到凹入部中的突出部。
3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，突出部在与基底的上表面垂直的竖直方向上与竖直结构至少部分地叠置。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，凹入部包括在第二水平方向上与所述多个纳米片中的至少部分叠置的部分。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，栅极线包括：
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，竖直结构还包括：空气空间，在竖直结构中。
7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，空气空间在第二水平方向上与所述多个纳米片中的至少部分叠置。
8.一种集成电路装置，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，第一栅极线包括：第一主金属层；和第一功函数金属层，在第一主金属层与所述多个第一纳米片中的每个之间以及第一主金属层与竖直结构之间，并且
10.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，竖直结构还包括：空气空间，在竖直结构中。
11.根据权利要求10所述的集成电路装置，其中，空气空间在第二水平方向上与第一多个纳米片和第二多个纳米片中的...
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