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本发明公开了一种IGBT产品的新封装结构，包括晶圆(2)，所述晶圆(2)上方放置有IGBT和二极管，所述IGBT和二极管之间设置PSV，所述IGBT和二极管上设置有RDL层，所述RDL层包括Pi1层和Pi2层；包括锡铅凸块，所述锡铅凸块设置...
该专利属于日月新半导体（昆山）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月新半导体（昆山）有限公司授权不得商用。

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