一种IGBT产品的新封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT产品的新封装结构，包括晶圆(2)，所述晶圆(2)上方放置有IGBT和二极管，所述IGBT和二极管之间设置PSV，所述IGBT和二极管上设置有RDL层，所述RDL层包括Pi1层和Pi2层；包括锡铅凸块，所述锡铅凸块设置有两组且放置在IGBT的两端，两组所述锡铅凸块之间设置有铜柱凸块，本发明专利技术属于IGBT产品的新封装结构领域，具体是指IGBT产品；本发明专利技术通过使用先进封装铜柱(Cupiilar)与倒装封装的方式取代传统打铝线的方式，此外还使用BGBM将晶圆厚度磨薄，晶背还蒸镀诸如，Ti、Ni、Ag和Sn等复合金属材料，既减少厚度几何体积，又增加介面附着力减少剥离现象，增加了原件整体的热电传输效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于igbt产品的新封装结构，具体是指一种igbt产品的新封装结构。

技术介绍

1、igbt，即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管(bipolar junctiontransistor,bjt)和绝缘栅型场效应管(metal oxide semiconductor，mos)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体，兼有金属氧化物半导体场效应的晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(gianttransistor,gtr)的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，igbt模块目前在工业控制及电源、新能源发电、新能源车等领域广泛应用，随着行业的发展，对igbt模块需要高开关频率、高功率密度、高可靠性要求。

2、传统igbt封装采用铝线键合方式连接芯片与基板，然而该方式存在显著弊端：铝的热电效率、机械强度及键合能力远低于铜、锡、金等材料，易导致键合线剥离、焊接层断裂等问题，进而引发器件失效；同时，传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT产品的新封装结构，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的一种IGBT产品的新封装结构，其特征在于：所述晶圆(2)进行背面研磨后，进行Backside Metal(背面金属化)操作，用以贴装DBC陶瓷铜箔基板(6)。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT产品的新封装结构，其特征在于：所述锡铅凸块(3)和铜柱凸块(4)切割并分为两组，所述左侧锡铅凸块(3)与二极管(1)为一组，铜柱凸块(4)、右侧锡铅凸块(3)与IGBT为另一组。

4.根据权利要求3所述的一种IGBT产品的新封装结构，其特征在于：所述DBC陶瓷铜箔基板(6)进行光阻涂...

【技术特征摘要】

1.一种igbt产品的新封装结构，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的一种igbt产品的新封装结构，其特征在于：所述晶圆(2)进行背面研磨后，进行backside metal(背面金属化)操作，用以贴装dbc陶瓷铜箔基板(6)。

3.根据权利要求2所述的一种igbt产品的新封装结构，其特征在于：所述锡铅凸块(3)和铜柱凸块(4)切割并分为两组，所述左侧锡铅凸块(3)与二极管(1)为一组，铜柱凸块(4)、右侧锡铅凸块(3)与igbt为另一组。

4.根据权利要求3所述的一种igbt产品的新封装结构，其特征在于：所述dbc陶瓷铜箔基板(6)进行光阻涂布曝光显影，所述dbc陶瓷铜箔基板(6)包括铜箔(61)，所述铜箔(61)设置有两组，且两组铜箔(61)之间设置有陶瓷基板(62)。

5.根据权利要求4所述的一种igbt产品的新封装结构，其特征在于：所述dbc陶瓷铜箔基板(6)进行铜蚀刻和去光阻。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭剑云，徐爽，
申请(专利权)人：日月新半导体昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：