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在对SiC衬底进行离子注入时高精度地形成杂质注入区域。一种半导体装置的制造方法，具有：第一工序，向SiC衬底注入第一导电型杂质；以及第二工序，向所述SiC衬底注入第二导电型杂质。在所述SiC衬底的厚度方向上，具有随着在所述第一工序中注入的第...
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