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半导体装置包括：沟道层；势垒层，其位于沟道层上方并且包括具有与沟道层的能带隙不同的能带隙的材料；栅电极，其位于势垒层上方；栅极半导体层，其位于势垒层与栅电极之间；第一源电极，其位于栅电极的第一侧上；以及第一漏电极，其位于作为栅电极的相对侧的...
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