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本发明公开了一种CdZnS/PbS/CdZnS叠层深阱复合发光层的QWLED及其制备方法，运用热注入法分别制备出PbS量子点和CdZnS量子点，并将两种量子点溶液分别依次旋涂成膜，最终形成具有平行界面叠层耗尽区和叠层异质结深量子阱结构的Cd...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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