【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料科学，特别是一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled及其制备方法。
技术介绍
1、量子点作为一种三维尺度均处于1~100nm范围内的准零维材料，可通过调控量子点生长时间、反应温度、配体等参数来控制量子点尺寸、形状以及发光波长。硫化铅量子点作为一种p型半导体纳米材料，具有可调带隙(0 .7–2 .1 ev)，因其低成本、溶液可加工性和带隙可调性而成为波长可调谐量子点器件的绝佳选择。硫化铅量子点由于尺寸较大，被视为近红外光发射led、太阳能电池等应用领域的优秀选择，但是对于可见光激发波长范围内硫化铅量子点的研究依旧存有拓展空间。
2、为了解决硫化铅量子点材料的表面缺陷并提升发光层中形成有效复合激子概率，研究人员一直在寻求如何钝化缺陷，并进一步提高其光电性能的研究。有研究表明一方面可通过形成壳核结构并严格控制量子点核壳结构合成过程中的温度和前驱体浓度可以大大地减小其晶格失配，另一方面可利用硫化铅量子点与其他量子点形成叠层复合材料以调节量子点间接触界面处能带结构，从而提高其光电性能，(cn1...
【技术保护点】
1.一种CdZnS/PbS/CdZnS叠层深阱复合发光层的QWLED，其特征在于：由下至上依次包括电极、无机电子传输层、叠层异质结深量子阱发光层、有机空穴传输层和ITO玻璃基底，其中叠层异质结深量子阱发光层由CdZnS/PbS/CdZnS量子点材料形成具有叠层异质结深量子阱结构的复合发光层。
2.根据权利要求1所述的一种CdZnS/PbS/CdZnS叠层深阱复合发光层的QWLED，其特征在于：所述无机电子传输层为Zn0.85Mg0.15O电子传输层。
3.根据权利要求1所述的一种CdZnS/PbS/CdZnS叠层深阱复合发光层的QWLED，其特...
【技术特征摘要】
1.一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled，其特征在于：由下至上依次包括电极、无机电子传输层、叠层异质结深量子阱发光层、有机空穴传输层和ito玻璃基底，其中叠层异质结深量子阱发光层由cdzns/pbs/cdzns量子点材料形成具有叠层异质结深量子阱结构的复合发光层。
2.根据权利要求1所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled，其特征在于：所述无机电子传输层为zn0.85mg0.15o电子传输层。
3.根据权利要求1所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled，其特征在于：所述有机空穴传输层包括tfb空穴传输层和pedot:pss空穴传输层。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的pedot:pss溶液先经过0.22-0.45μm的过滤头过滤，退火温度为100-120℃，环境条件是在氧气和水均小于1ppm的氮气气氛的手套箱中，退火时间为20-30min。
6.根据权利要求4所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的tfb溶液浓度为8-10mg/ml，退火温度为160-200℃，环境条件是在氧气和水均小于1ppm的氮气气氛的手套箱中，退火时间为15-30min。
7.根据权利要求4所述的一种cdzns/pbs/cdzns叠层深阱复合发光层的qwled的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）和步骤（6）中cdzns量子点制备的具体方法为：
8.根据权利要求4所述的一种cdzns/p...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊先，余思齐，郭太良，洪嘉杰，刘本芳，周哲宇，方哲洲，高锦注，宋宣耀，张永爱，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：
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