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提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：再分布层；多个贯穿模制过孔，在再分布层上；光子集成电路，在再分布层上；第一模制层，在再分布层上、在贯穿模制过孔的侧表面上以及在光子集成电路的侧表面上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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