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提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：在单元晶圆上形成存储器堆叠件，单元晶圆具有第一晶体取向并且包括硅单晶晶圆和第一切口；在外围电路晶圆上形成外围电路堆叠件，外围电路晶圆包括硅单晶晶圆并且具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向；以及将...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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