制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：在单元晶圆上形成存储器堆叠件，单元晶圆具有第一晶体取向并且包括硅单晶晶圆和第一切口；在外围电路晶圆上形成外围电路堆叠件，外围电路晶圆包括硅单晶晶圆并且具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向；以及将单元晶圆接合到外围电路晶圆，使得存储器堆叠件和外围电路堆叠件彼此接触，其中，第一晶体取向表示为{第一表面取向}<第一切口方向>，并且第一晶体取向包括{110}<100>、{110}<112>、{111}<110>和{111}<112>中的任一个。

【技术实现步骤摘要】

各种实施方式涉及制造半导体装置的方法，并且更具体地，涉及制造接合型三维存储器装置的方法。

技术介绍

1、在包括数据存储设备的电子系统中，能够储存大量数据的半导体装置可以是期望的。作为用于增加半导体装置的数据存储能力的一种方法，已经提出了包括三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元的半导体装置。此外，已经提出了通过在第一基底上形成半导体装置的一部分、在第二基底上形成半导体装置的另一部分、并且将第一基底与第二基底彼此接合来制造的半导体装置。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施方式涉及制造接合型三维存储器装置的方法。

2、一些实施方式提供了一种半导体装置，该半导体装置能够在接合工艺期间表现出减少的由于基底的翘曲引起的缺陷。

3、根据一些实施方式，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在单元晶圆上形成存储器堆叠件，其中，单元晶圆具有第一晶体取向并且包括硅单晶晶圆、第一上表面和第一切口，第一切口在从单元晶圆的外周朝向单元晶圆的中心区域的方向上形成到一定深度；在外围电路晶圆上形成外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，外围电路晶圆包括第二上表面以及从外围电路晶圆的外周朝向外围电路晶圆的中心区域延伸的第二切口，并且

3.根据权利要求2所述的方法，其中，存储器堆叠件包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，外围电路堆叠件包括设置在外围电路晶圆上的外围电路，

5.根据权利要求4所述的方法，其中，存储器堆叠件还包括电连接到所述多条位线的第一接合垫，并且

6.根据权利要求1所述的方法，其中，单元晶圆具有750微米至840微米的厚度，并且

7.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，外围电路晶圆包括第二上表面以及从外围电路晶圆的外周朝向外围电路晶圆的中心区域延伸的第二切口，并且

3.根据权利要求2所述的方法，其中，存储器堆叠件包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，外围电路堆叠件包括设置在外围电路晶圆上的外围电路，

5.根据权利要求4所述的方法，其中，存储器堆叠件还包括电连接到所述多条位线的第一接合垫，并且

6.根据权利要求1所述的方法，其中，单元晶圆具有750微米至840微米的厚度，并且

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将单元晶圆接合到外围电路晶圆之后，去除单元晶圆。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括，在去除单元晶圆之后：

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将单元晶圆接合到外围电路晶圆之后，研磨单元晶圆以减小单元晶圆的厚度。

10.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金娟淑，李贞儿，金叡燦，郑宇胜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：