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半导体装置1具备位于IGBT区域20A的多个沟槽栅极50、位于二极管区域20B的多个第一伪沟槽60、以及位于IGBT区域与二极管区域的边界部20C的多个第二伪沟槽70。多个第二伪沟槽分别沿着连结IGBT区域和二极管区域的方向相互隔开间隔地配...
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