半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置1具备位于IGBT区域20A的多个沟槽栅极50、位于二极管区域20B的多个第一伪沟槽60、以及位于IGBT区域与二极管区域的边界部20C的多个第二伪沟槽70。多个第二伪沟槽分别沿着连结IGBT区域和二极管区域的方向相互隔开间隔地配置。多个第二伪沟槽各自在至少其一部分中具有形成得比多个沟槽栅极和多个第一伪沟槽深的加深部分76。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、在日本特开2021-190657号公报中，公开了具备包含igbt(insulated gatebipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)区域和二极管区域的半导体衬底的半导体装置。在该半导体装置中，以覆盖半导体衬底的上表面的方式设置有上部电极，以覆盖半导体衬底的下表面的方式设置有下部电极。在igbt区域内，以上部电极成为发射极电极并且下部电极成为集电极电极的方式设置有igbt构造。在二极管区域内，以上部电极成为阳极电极并且下部电极成为阴极电极的方式设置有二极管构造。二极管构造相对于igbt构造反并联连接，能够作为续流二极管进行动作。

2、此外，在日本特开2021-190657号公报的半导体装置中，在igbt区域设置有多个沟槽栅极，在二极管区域设置有多个伪沟槽。进而，在日本特开2021-190657号公报的半导体装置中，形成得比多个沟槽栅极和多个伪沟槽的任一个都深的单一的边界沟槽被设置在igbt区域与二极管区域的边界。边界沟槽是为了抑制载流子从igbt区域朝向二极管区域流入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：大河原淳，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：