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本公开涉及包括磁性隧道结结构的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一磁性隧道结结构，其沿彼此相交的第一方向和第二方向布置且在第一方向上具有第一宽度；第二磁性隧道结结构，其沿第一方向和第二方向布置，以及在与第一方向和第二方向相交的第...
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