【技术实现步骤摘要】
本专利文件中公开的技术涉及半导体技术，更具体地说，涉及一种包括磁性隧道结结构的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着近年来电气电子工业朝向小型化、低功耗、高性能的趋势，在多种电子设备(如计算机和便携式通信设备)中可以存储数据的半导体器件的重要性日益增大。这种半导体器件包括可以通过利用根据施加的电压或电流而在不同的电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体存储器件，例如电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)和电子熔丝(e-fuse)。
技术实现思路
1、所公开的技术可以在一些实施例被实施，以提供一种包括可以容易形成不同尺寸的磁性隧道结结构的半导体器件及其制造方法。
2、在所公开技术的实施例中，一种半导体器件包括：多个第一磁性隧道结结构，其沿彼此相交的第一方向和第二方向布置且在第一方向上具有第一宽度；多个第二磁性隧道结结构，其沿第一方向和第二方向布置且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上与...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一磁性隧道结结构至第三磁性隧道结结构具有相同的层结构和相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第三磁性隧道结结构的所述第四宽度和所述第六宽度等于所述第一宽度，以及
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一磁性隧道结结构和所述多个第二磁性隧道结结构在平面图中的形状为圆形，以及
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一磁性隧道结结构至第三磁性隧道结结构具有相同的层结构和相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第三磁性隧道结结构的所述第四宽度和所述第六宽度等于所述第一宽度，以及
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一磁性隧道结结构和所述多个第二磁性隧道结结构在平面图中的形状为圆形，以及
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，在所述垂直方向上，所述第一导线和所述第二导线设置在不同的水平高...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹宗珉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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