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一种星载处理器SiP结构，包括管壳结构、管芯、可伐环双腔结构；可伐环双腔结构安装在管壳结构的上表面，管壳结构的下表面底部挖腔；管芯包括SoC、SRAM、FLASH、接口芯片四种芯片；SRAM安装在可伐环双腔结构的左腔体内，FLASH和SoC...
该专利属于北京控制工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京控制工程研究所授权不得商用。

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