一种星载处理器SiP结构制造技术

一种星载处理器SiP结构，包括管壳结构、管芯、可伐环双腔结构；可伐环双腔结构安装在管壳结构的上表面，管壳结构的下表面底部挖腔；管芯包括SoC、SRAM、FLASH、接口芯片四种芯片；SRAM安装在可伐环双腔结构的左腔体内，FLASH和SoC安装在可伐环双腔结构的右腔体内，接口芯片安装在底部挖腔内；SoC通过数据线和地址线访问SRAM，通过地址线和数据线访问并行FLASH；SoC的功能引脚引出到管壳结构外部。采用可伐环加双腔结构，与现有其他SiP相比，器件集成密度更高，采用陶瓷封装材料，相比塑封器件可靠性更好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种星载处理器sip结构，属于星上微系统设计。

技术介绍

1、日趋复杂的宇航任务对航天器承载载荷能力要求越来越高，对航天器电子系统集成度、小型化、智能化需求越来越迫切。微系统封装集成等核心技术的发展，在很大程度上推动了航天综合电子系统的小型化、智能化、信息融合等关键技术的突破。系统封装sip技术顺应了军事电子的应用需求，在航天
具有广泛的应用市场和发展前景。

2、sip系统级封装是一种最新的电子封装和系统集成技术，目前正成为电子技术发展的热点受到多方面的关注。这些关注者既来源于传统的封装package设计者，也来源于传统的mcm设计者，甚至soc的设计者也开始密切关注sip。作为一种先进封装形式，sip具有下述优点：

3、(1)sip将多个芯片、无源元件集成在一个封装体内，如图1所示，实现方式可以是裸芯片的堆叠或者封装体的堆叠，通过多芯片互连、倒装等方式实现器件互连，使对外电气连接接口大幅缩减，有效减少封装尺寸与引脚数量，在很大程度上降低尺寸，提高系统集成度；

4、(2)sip将不同工艺、材料制作的芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种星载处理器SiP结构，其特征在于：包括管壳结构、管芯、可伐环双腔结构；可伐环双腔结构安装在管壳结构的上表面，管壳结构的下表面底部挖腔；管芯包括SoC、SRAM、FLASH、接口芯片四种芯片；SRAM安装在可伐环双腔结构的左腔体内，FLASH和SoC安装在可伐环双腔结构的右腔体内，接口芯片安装在底部挖腔内；SoC通过数据线和地址线访问SRAM，通过地址线和数据线访问并行FLASH；SoC的功能引脚引出到管壳结构外部。

2.根据权利要求1所述的一种星载处理器SiP结构，其特征在于：所述的可伐环双腔结构由可伐环和加强筋构成，可伐环构成腔体，中间的加强筋将腔体一分为二。...

【技术特征摘要】

1.一种星载处理器sip结构，其特征在于：包括管壳结构、管芯、可伐环双腔结构；可伐环双腔结构安装在管壳结构的上表面，管壳结构的下表面底部挖腔；管芯包括soc、sram、flash、接口芯片四种芯片；sram安装在可伐环双腔结构的左腔体内，flash和soc安装在可伐环双腔结构的右腔体内，接口芯片安装在底部挖腔内；soc通过数据线和地址线访问sram，通过地址线和数据线访问并行flash；soc的功能引脚引出到管壳结构外部。

2.根据权利要求1所述的一种星载处理器sip结构，其特征在于：所述的可伐环双腔结构由可伐环和加强筋构成，可伐环构成腔体，中间的加强筋将腔体一分为二。

3.根据权利要求2所述的一种星载处理器sip结构，其特征在于：所述的可伐环的宽度为0.9mm-1.3mm。

4.根据权利要求1所述的一种星载处理器sip结构，其特征在于：所述的管壳结构为陶瓷封装结构，封装形式为ccga。

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正，刘超伟，刘波，
申请(专利权)人：北京控制工程研究所，
类型：发明
国别省市：