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晶体管包括多个堆叠沟道。堆叠沟道最初根据位于堆叠沟道之上的硬掩模结构来图案化。然后经由第一外延生长工艺形成源极/漏极区域，从而使得堆叠沟道在源极/漏极区域之间在第一横向方向上延伸。然后实施第二外延生长工艺，以通过在沟道的侧表面上形成外延半导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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