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本公开涉及半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一导电类型外延层，在基底的第一表面上并且包括第一沟槽；栅电极，在第一沟槽内部；栅极绝缘层，在第一导电类型外延层与栅电极之间；源电极，在第一导电类型外延层上；第二导电类型掺杂阱区和第一导电类型...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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