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本发明属于半导体器件技术领域，公开一种新型半导体非易失存储器及其制备方法和应用；该存储器包括自下至上依次设置的衬底、底电极、非晶态氧化物界面层、铁电介质层和顶电极；其制备方法包括（1）衬底清洗，（2）底电极沉积，（3）形成非晶氧化物界面层，...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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