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本发明公开了一种高温高压合成Te晶体的方法，属于Te晶体合成技术领域，Te晶体合成技术领域，该方法包括如下步骤：以Te粉末为起始原料，在密封环境中进行高温高压反应：升压至4.8‑5.2Gpa，然后升温到570‑610℃，保温保压25‑35m...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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