一种高温高压合成Te晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种高温高压合成Te晶体的方法，属于Te晶体合成技术领域，Te晶体合成技术领域，该方法包括如下步骤：以Te粉末为起始原料，在密封环境中进行高温高压反应：升压至4.8‑5.2Gpa，然后升温到570‑610℃，保温保压25‑35min后淬火，反应结束后快速冷却，缓慢卸压，得到Te晶体。本发明专利技术合成了Te的高质量、大尺寸的晶体，解决了目前材料合成与制备技术领域的一个难题，为实验上研究Te晶体提供了保障。解决了高温高压下高质量Te晶体生长的部分不足，采用的生长方式可以有效减少Te的挥发性对晶体生长的负面影响也不会引入新的杂质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于te晶体合成，具体涉及一种高温高压合成te晶体的方法。

技术介绍

1、te晶体即碲晶体，是一种由碲元素组成的晶体材料。te晶体的合成方法主要包括化学气相沉积、水热法、物理气相沉积、溶液合成法、溶液合成法、溶液合成法和范德华外延法。其中，固相合成法通过将te粉末在高温高压条件下反应，形成te晶体。该方法适用于制备大尺寸的te晶体，但该合成方法中te具有挥发性，这使得在单晶生长过程te的浓度难以保持恒定。浓度的波动会导致晶体质量不稳定，生长速率也难以精准控制，进而影响最终产品的一致性和性能。

2、由于te晶体具有六方晶格结构，在晶体生长过程中，尤其是生长较大尺寸单晶时，晶体表面容易产生裂纹，这严重限制了大尺寸高质量te单晶的制备。高纯度te的制备过程复杂且困难，而在单晶生长中，若不能严格控制杂质含量，将会对最终单晶的电子性质和结构质量产生负面影响，降低产品的应用价值。此外，在高温高压条件下生长te单晶，难度进一步增加：在高温高压环境下，te的挥发性更为显著，特别是在1000℃以上的高温时，te极易挥发，这使得在高温环境中维持te浓度的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高温高压合成Te晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温高压合成Te晶体的方法，其特征在于，升压至4.8-5.2Gpa的过程中：前30-40min升压0.5-0.6Gpa，然后在150min前升压到4.8-5.2Gpa。

3.根据权利要求1所述的一种高温高压合成Te晶体的方法，其特征在于，高温高压反应的条件为：升压至5Gpa，然后升温到600℃，保温保压30min后淬火。

4.根据权利要求3所述的一种高温高压合成Te晶体的方法，其特征在于，升压至5Gpa的过程中：前30min升压0.5Gpa；然后在150min前...

【技术特征摘要】

1.一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，升压至4.8-5.2gpa的过程中：前30-40min升压0.5-0.6gpa，然后在150min前升压到4.8-5.2gpa。

3.根据权利要求1所述的一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，高温高压反应的条件为：升压至5gpa，然后升温到600℃，保温保压30min后淬火。

4.根据权利要求3所述的一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，升压至5gpa的过程中：前30min升压0.5gpa；然后在150min前升压到5gpa。

5.根据权利要求1所述的一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，所述快速冷却指2min以内降温至室温。

6.根据权利要求1所述的一种高温高压合成te晶体的方法，其特征在于，所述缓慢卸压指150...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩慧，刘吉忠，蒋申奥，李惠，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：