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公开了一种电容器和DRAM装置，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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