【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种电容器和包括电容器的动态随机存取存储器（dram）装置。
技术介绍
1、在dram装置中，单位存储器单元可以包括一个晶体管和一个电容器，并且电容器可以具有高电容。
技术实现思路
1、实施例可以通过提供一种电容器来实现，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。
2、实施例可以通过提供一种电容器来实现，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，介电层结构具有约20å至约60å的厚度，并且第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层均是结晶的。
3、实施例可以通过提供一种动态随机存取存储器装置（dram）来实现，动态随机存取存储器装置包括：基底；单元晶体管，位于基底上，单元晶体管包括栅极结构、第一杂质区和第二杂质区；位线结构，电...
【技术保护点】
1.一种电容器，所述电容器包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，其中，第一层包括锆或氧化锆。
3.根据权利要求2所述的电容器，其中，第二层包括铪或氧化铪。
4.根据权利要求1所述的电容器，其中，介电层结构还包括位于第一层与界面层之间的第三层，第三层包括Al、Ta、Nb、Mo、W、Ru、V、Y、Sc、或Gd。
5.根据权利要求1所述的电容器，其中，其中，介电层结构还包括第四层，第四层包括锆或氧化锆。
6.根据权利要求5所述的电容器，其中，第四层是非晶的。
7.根据权利要求1所述的电容器，其中，下电...
【技术特征摘要】
1.一种电容器，所述电容器包括：
2.根据权利要求1所述的电容器，其中，第一层包括锆或氧化锆。
3.根据权利要求2所述的电容器，其中，第二层包括铪或氧化铪。
4.根据权利要求1所述的电容器，其中，介电层结构还包括位于第一层与界面层之间的第三层，第三层包括al、ta、nb、mo、w、ru、v、y、sc、或gd。
5.根据权利要求1所述的电容器，其中，其中，介电层结构还包括第四层，第四层包括锆或氧化锆。
6.根据权利要求5所述的电容器，其中，第四层是非晶的。
7.根据权利要求1所述的电容器，其中，下电极和上电极中的每个包括氮化钛（tin）、钛（ti）、钽（ta）、氮化钽（tan）、钌（ru）、钨、或氮化钨。
8.根据权利要求1所述的电容器，其中，下电极具有柱形状。
9.根据权利要求1所述的电容器，其中，第一层具有约5å至30å的厚度。
10.根据权利要求1所述的电容器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵哲珍，林载顺，崔在亨，朴正敏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。