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本发明实施例提供了一种SOI衬底结构与PDSOI器件，通过在顶层硅的第一表面的第一预设位置处形成第一凸台，以使得该处的顶层硅的厚度大于其他部分的顶层硅的厚度；后续在顶层硅的第二表面形成半导体器件时，半导体器件的栅极位于所述第一凸台的正上方；...
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