【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种soi衬底结构、pdsoi器件及其制备方法。
技术介绍
1、随着器件特征尺寸的不断缩小，绝缘体上硅(soi，silicon-on-insulator)技术应运而生。soi技术是一种先进的半导体制造技术，其可以有效地减少寄生电容和漏电流，从而提升器件性能，具有较好的发展潜力。
2、常规soi衬底结构从下至上依次包括底层硅、埋氧层以及顶层硅。由于顶层硅薄膜的厚度以及器件工作时的耗尽层厚度存在差异，soi器件可分为部分耗尽型soi器件(pdsoi，partially depleted silicon-on-insulator)和全耗尽型soi器件(fdsoi，fullydepleted silicon-on-insulator)。其中pdsoi器件的顶层硅薄膜厚度较大，当器件工作在饱和区时，耗尽层厚度小于顶层硅薄膜厚度，阱区存在部分未耗尽区域，且这部分区域未接电压，处于电学浮空状态，导致产生翘曲效应、寄生双极晶体管效应等负面的浮体效应。解决这一问题的一种方式是减薄顶层硅的厚度，使其工作时处于完全耗...
【技术保护点】
1.一种SOI衬底结构，其特征在于，包括从上至下依次设置的顶层硅、埋氧层以及底层硅；其中：
2.根据权利要求1所述的SOI衬底结构，其特征在于，所述顶层硅的厚度为10nm～1000nm。
3.根据权利要求1所述的SOI衬底结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度为10nm～5000nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的SOI衬底结构，其特征在于，所述顶层硅的第二预设位置处还形成有对准凹槽，所述对准凹槽贯穿所述顶层硅；且所述对准凹槽中填充有所述埋氧层。
5.一种SOI衬底结构的制备方法，其特征在于，用于形成如权利要求1-4任...
【技术特征摘要】
1.一种soi衬底结构，其特征在于，包括从上至下依次设置的顶层硅、埋氧层以及底层硅；其中：
2.根据权利要求1所述的soi衬底结构，其特征在于，所述顶层硅的厚度为10nm～1000nm。
3.根据权利要求1所述的soi衬底结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度为10nm～5000nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的soi衬底结构，其特征在于，所述顶层硅的第二预设位置处还形成有对准凹槽，所述对准凹槽贯穿所述顶层硅；且所述对准凹槽中填充有所述埋氧层。
5.一种soi衬底结构的制备方法，其特征在于，用于形成如权利要求1-4任一项所述的soi衬底结构，该方法包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：谢静怡，张真，王子健，蒋小涵，李玉堂，
申请(专利权)人：广州增芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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